专利类型：发明专利

 

申请日：2016-01-16

 

摘要：本发明涉及一种采用分子印迹过氧化聚吡咯/纳米金修饰电极及其应用于电化学识别半胱氨酸对映体的方法，包括以下步骤：制备纳米金修饰电极、制备分子印迹过氧化聚吡咯/纳米金修饰电极、电化学识别半胱氨酸对映体。本发明的有益效果是：分子印迹过氧化聚吡咯/纳米金修饰电极的制备方法简便易行，制备过程环保无污染，通过纳米金对L‑半胱氨酸的吸附来增加印迹位点的数量，使得这种材料相比于不引入纳米金的分子印迹聚合物修饰电极对于半胱氨酸对映体具有更高的识别效率。